我的一九八五第一八二七章 犹豫不决

EUV光刻机的技术难点主要包括三大方面：曝光工具、掩膜和光刻胶其中曝光工具包括EUV光源和光学系统；掩膜类似胶片相机的底片。

EUV光源透过掩膜形成图案化的EUV光线然后落到晶圆上；晶圆上涂有称为光刻胶的光敏化学物质光刻胶遇到EUV会起化学反应可以用来蚀刻晶圆。

在曝光工具反面ASET需要开发的不仅仅包括光源和光学系统也包括其他很重要的部分比如晶圆和掩膜的机械对准技术它需要在0.5nm的误差范围内对准晶圆和掩膜。

面对第一阶段艰难的项目进程ASET选择将有限的资源集中在光学系统方面但是对于项目最难的部分EUV光源ASET决定将这部分外包给了一个2001年新成立的研究组织：极紫外光刻系统开发协会（EUVA）。

在第一阶段ASET还专门研究了EUV光刻胶EUV光刻胶的主要难点与EUV光的高吸收性有关对于传统的光刻胶EUV光只能深入光刻胶层约700埃（10埃等于1nm）这低于EUV实际应用的要求；所以传统的光刻胶是没法用的因此ASET必须开发一种新的光刻胶。

第一阶段的掩膜研究也很难掩膜类似底片上面包含了芯片设计图案ASET需要开发新的掩膜制造技术来保证能生产无缺陷的EUV光刻掩膜而且除了掩膜的生产掩膜的缺陷检测也是一项难度很大的研究课题需要使用EUV光本身来进行检测这在光刻机领域有个专门的术语叫做光化。

日本通商产业省决定为这一课题专门成立了下一代半导体曝光工艺基础技术开发（MIRAI）的研究机构。

EUV光刻技术是一个典型的跨学科多领域的技术综合体单独的研究机构几乎不可能全部掌握这项技术。

由于这个项目的难度很大整个项目一直在延期到了2005年MIRAI已经研究出了能够检测因空白缺陷而散射的EUV光化检测工具但是曝光工具部分还在研究过程中这一部分的工作落在了尼康和佳能身上。

由于项目严重延期所以日本经济产业省（原日本通商产业省2001年更名）决定更改项目计划计划5年后的2010年实现EUV光刻技术的商业化并达到28nm工艺制程但是要想实现EUV光刻机的商业化佳能和尼康就必须在2008年或2009年之前完成EUV试验样机的研制否则这个目标根本就不可能实现。

从2001到2004年尼康公司与ASET合作制作出了小型EUV光刻实验工具HiNA3。

2004年6月17日BSEC突然公开宣布全球第一台65nm制程的浸没式光刻机TWINSCAN NXT:2250i被研发成功！ 2250i的问世不仅成为全球光刻机行业划时代的重要事件也对全球半导体行业的发展承前启后。

BSEC首次成为全球光刻机行业发展的领导者！ 尼康公司如梦初醒急忙停止EUV的研究集中全部力量研发65nm制程的干式光刻机NSR-S308F。

这些年尼康公司在EUV光源和光学系统上投资了7亿多美元虽然没有研发成功EUV光源发生器但研发成功了157nm激光器借助于ASET的资源5个月不到就研发成功NSR-S308F发现制程达不到65nm又集中精力研发成功偏振照明系统Polano弥补了157nm波长的缺陷；不到一年全球第一台45nm制程的DSP-100干式光刻机横空出世。

厚积薄发！ 尼康公司又夺回全球光刻机行业的老大位置！ 日本经济产业大臣甘立明代表日本政府亲自到尼康公司祝贺奖励2000万美元。

尼康公司管理层、技术团队和普通员工喜笑颜开干劲十足。

日本半导体行业欢欣鼓舞决定联合投资2350亿日元（20亿美元）在东京都千代田区建设全球第一条45nm制程工艺的半导体生产线。

------ “孙先生BSEC什么时候能研发成功45nm制程的浸没式光刻机？” 6月5日阿密特从日本打来电话接到尼康公司的邀请他代表Intel前往尼康公司查看DSP-100干式光刻机的性能尼康公司希望Intel提前预定DSP-100价格可以优惠。

在1994年GCA重回光刻机老大之前Intel一直是尼康公司的最大客户。

Intel正在研发第一款四核处理器Core 2 Quad即将开启四核时代的大门这款CPU拥有582000000个晶体管运行速度为3.4GHz最大存储容量为32TB采用45nm制程工艺。

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